在纳米科技与半导体产业飞速发展的今天，以石墨烯、二硫化钼、黑磷为代表的二维材料，凭借原子级厚度、优异的电学与光学性能，成为构建下一代电子器件的核心材料。而
二维材料刻蚀技术，作为实现材料精准图案化、制备高性能器件的关键环节，正带领着微观加工领域的技术革新。
二维材料刻蚀的核心是在原子级厚度的薄膜上，按照预设图案去除特定区域材料，同时保证剩余材料的结构完整性与性能稳定性。其技术原理根据刻蚀机制可分为干法刻蚀与湿法刻蚀两大类。干法刻蚀以等离子体刻蚀为代表，通过射频电源激发气体产生高能等离子体，利用活性离子与材料表面的化学反应或物理轰击，实现精准刻蚀；湿法刻蚀则借助化学溶液与材料的选择性反应，溶解目标区域，操作简便且成本较低。目前，等离子体刻蚀因具有刻蚀精度高、各向异性好的优势，成为二维材料器件制备的主流技术。
该技术的突出特点在于超高精度与高选择性。借助先进的光刻掩模技术，二维材料刻蚀的线宽可控制在10纳米以下，满足量子器件与高频电子器件的制备需求；同时，通过调控刻蚀气体比例或溶液成分，可实现对特定二维材料的选择性刻蚀，避免损伤基底或异质结结构。此外，低温刻蚀技术的应用，有效减少了刻蚀过程中材料的热损伤，保障了二维材料的本征性能。
在应用领域，二维材料刻蚀技术已展现出巨大潜力。在半导体行业，基于石墨烯的高频晶体管通过精准刻蚀实现栅极图案化，其电子迁移率是传统硅基器件的数十倍；在光电子领域，二硫化钼薄膜经刻蚀形成的微纳结构，可制备高灵敏度光电探测器与微型激光器；在能源领域，刻蚀后的黑磷纳米片因增大比表面积，成为高效的锂离子电池负极材料。
