在MEMS（微机电系统）、功率器件、生物芯片等领域，深硅刻蚀技术通过对硅材料进行高精度纵深加工，成为构建三维微纳结构的“核心雕刻工具”，其应用覆盖从微米级到纳米级的复杂结构制备。
MEMS器件制造是深硅刻蚀的典型应用领域。在加速度传感器生产中，采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术，在硅片上刻蚀出深度达50-200μm的梳齿结构，刻蚀垂直度偏差小于1°，确保器件在加速度变化时的电容变化线性度；微型陀螺仪的振动腔体则通过博世工艺实现周期性刻蚀与钝化，形成侧壁光滑的深槽，深宽比可达50:1，满足高频振动时的结构稳定性要求。
功率半导体器件中，深硅刻蚀用于构建垂直导电通道。在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）制造中，通过深硅刻蚀在硅片上形成深度100-300μm的沟槽，再填充绝缘材料，实现器件的高压隔离，使击穿电压提升至1200V以上，满足新能源汽车逆变器的高压需求；第三代半导体的SiC基器件则依赖反应离子刻蚀（RIE）系统，刻蚀出深度5-20μm的栅极沟槽，提升器件的开关速度与散热性能。
生物芯片领域，深硅刻蚀助力微流控芯片的功能实现。通过刻蚀深度10-50μm的微通道网络，模拟人体血管或组织液流动环境，用于药物筛选时可精准控制试剂流量（低至纳升/分钟）；细胞培养芯片中的微柱阵列结构，通过深硅刻蚀形成直径5μm、间距10μm的柱状凸起，为细胞提供三维生长支架，便于观察细胞间的相互作用。此外，深硅刻蚀在光通信器件中用于制备硅基波导，通过刻蚀出宽度200-500nm的波导结构，实现光信号的高效传输与调制，推动光模块向小型化、高密度方向发展。
